InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
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概要
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InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合エピ構造に於いて、プラズマCVD(P-CVD)で成膜したSiN保護膜有無に対する熱的安定性について調べた。保護膜無しの試料では、シートキャリア濃度(Ns)が大きく熱的に劣化するのに対し、SiN膜で保護された試料ではほとんど劣化がみられなかった。このことはSiN膜がこの系のHJFETの熱的安定性に非常に有用であることを示している。また、保護膜無しの熱処理によりNsが減少している場合でも、SiN膜熱処理を施すことにより、Nsが回復することを初めて見出した。このSiN膜熱処理によるエピ結晶中の不純物分布変化をSIMS分析を用いて調べた結果、Nsの回復がn-InAlAsドナー層中からのFの脱離に起因することが分かった。この結果とF侵入を抑止した試料における同様の実験を比較することで、F侵入量とNs劣化量の量的関係がF侵入量により変化することが分かった。この結果に基づき、InAlAs層中に侵入したFには、中性F^0とイオン化したF^-の2種類があるというモデルの提案を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
分島 影男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
富士 原明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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