SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
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概要
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ミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器をSiO_2膜埋め込みゲートプロセスを用いて開発した。本ゲートプロセスでは、化学増幅レジストをマスクに2回のドライエッチングを用いて、SiO_2膜に開口パターンを転写している。これにより、ゲート長(Lg)及びしきい値面内ばらつきにおいて良好な結果を得た。量産性向上の点からこのSiO_2膜を除去せずに高性能化をはかるために、ゲート傘部の高さ(hg)の最適化(hg=0.25μm)を行ってゲートフリンジング容量低減した。それにより、HJFET(Lg=0.13μm)においてfmax=220GHzという高い利得を得ることが出来た。このHJFETを用いて1段HJFET-MMIC増幅器を作製し、75GHz帯において小信号利得10dB以上の高利得性能をMMICレベルで実証した。さらにこのMMIC増幅器により、75GHzにおいて最大出力密度200mW / mm、最大効率22%を得ることを示し、実力増幅器としての性能実証を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-20
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
牧野 洋一
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
山之口 勝己
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
牧野 洋一
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
佐本 典彦
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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