透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

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概要

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• シリコン基板上に透明ゲートAlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)を作製した。デバイス表面から紫外光及び短波可視光を照射し、DC特性及び紫外線フォトディテクタとしての特性を評価した。紫外光を照射したところ、顕著なドレイン電流の増加と閾値電圧の負方向へのシフトが発生した。これから透明ゲート下で励起が生じたことが確認された。ゲート電極をピンチオフ状態で動作させることにより暗電流を低減できた。照射光強度200μW/cm2及び波長360nm以下おいて3×10^5A/Wという高い受光感度を得られた。

• 2011-11-10

著者

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa T

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• Egawa Takashi

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• 成田 知隆

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 分島 彰男

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 分島 彰男

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 成田 知隆

  名古屋工業大学

• 分島 彰男

  名古屋工業大学

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