C-10-17 C帯高出力GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-07
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
分島 彰男
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
松永 高治
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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