Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
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概要
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- 2003-09-26
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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