SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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