InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
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概要
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我々はこれまで、X-Ku 帯における高出力高効率素子としてダブルドープダブルヘテロ構造を有する AlGaAs/InGaAs ヘテロ接合 FET(HJFET) の研究を進めてきた。今回我々は素子特性の均一性向上および表面安定化のため、素子表面に InGaP ゲート埋込み層を配した AlGaAs/InGaAs HJFET (以下InGaP HJFET) を提案し、良好な初期特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
金森 幹夫
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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