高出力密度高耐圧ヘテロ接合FET
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概要
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我々は高出力固体素子増幅器の基本素子としてダブルドープダブルヘテロ構造を有するヘテロ接合FET(以下HJFET)の研究をすすめてきた。これまでに、耐熱性ゲート金属であるWSiを用いた埋込みゲート構造の採用により、高出力・高効率を同時に達成可能なHJFETを報告してきた。今回は出力密度の向上のため高耐圧HJFETを10V以上の高動作電圧でパワー評価を行い、出力密度0.9W/mm以上の良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
三浦 郁雄
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
岡本 康宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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