22 GHz帯5W HJFET増幅器
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概要
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前回, 我々は埋め込みゲート構造ヘテロ接合FET (HJFET)の単位素子についてゲートフィンガー長100μm以下で利得劣化が小さく, 良好なパワー特性が得られることを示し, 22 GHz帯高出力基本素子として有望であることを報告した。今回はゲートフィンガー長75μmの上記単位素子を12個並列接続したゲート幅12.6 mmの素子を用いた22 GHz帯高出力増幅器の設計・評価を行い, 1チップ素子としては最高の飽和出力電力値4.9 Wを得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
三浦 郁雄
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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