薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
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概要
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サファイヤ基板の放熱性の改善を目的にAlGaN/GaN HJFETが搭載されたサファイヤ基板を薄層化し、薄層化前後の特性を比較評価した。サファイヤ基板は機械的研磨により50μmまで薄層化した。I-VカーブをDC及びパルスで比較測定すると、自己発熱によりドレイン電流が45%も減少していたものが、薄層化することで15%程度の減少に抑制され、熱抵抗の大幅な低減が確認できた。更に、ゲート幅1.2mmのFETで、L帯におけるパワー特性を評価した。薄層化前がVd=18Vで最大の電力密度Pdが1.37W/mmであるのに対し、薄層化によりVd=22で電力密度Pd=1.83W/mmと特性の改善を見た。以上、サファイヤ基板の薄層化による放熱性の改善が、パワー特性の向上に有効である事を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
-
松永 高治
NECシステムデバイス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
國弘 和明
東工大理
-
国弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
羽山 信幸
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
国弘 和明
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
羽山 信幸
Nec
-
國弘 和明
日本電気(株)
-
國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
国弘 和明
日本電気(株)
-
國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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