Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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SiC基板上にMOCVD成長したエピを用い、EB露光プロセスでT型0.3μmゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETを作製した。30GHzのロードプル測定の結果、ゲート幅0.36mmの素子において動作電圧Vd=25Vで、飽和出力1.48W(4.1W/mm)、線形利得8.3dB、電力付加効率25%が得られた。この飽和出力値1.48W(4.1W/mm)はKa帯(30GHz)でのGaNデバイスとして世界最高の値であり、準ミリ波帯における高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの高い可能性を実証するものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
日本電気(株)マイクロエレ研
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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