安藤 裕二 | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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NEC
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日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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日本電気(株)
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
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日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
著作論文
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- In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 共鳴トンネルトランジスタのマイクロ波特性
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)