共鳴トンネルトランジスタのマイクロ波特性
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概要
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我々は共鳴トンネルトランジスタ(RTT)の負の入力抵抗を利用した低雑音増幅器を提案した。負性入力抵抗を示すバイアス条件で、fmax が向上、Fmin が減少することが予測され、RTT がヘテロ接合 FET (HJFET) を凌駕する雑音特性を有する可能性があることを報告した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
丸橋 建一
日本電気(株)
-
宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
コントラッタ ウォルター
Nec 関西エレクトロニクス研究所
-
コントラッタ ウォルター
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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