フリップチップ実装技術を用いた30GHz帯誘電体共振器発振器(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
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概要
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60GHz帯無線トランシーバヘの適用を目的として、30GHz帯(2逓倍して使用)の誘電体共振器発振器(DRO)を開発した。誘電体共振器(DR)は、誘電体基板内に、メタライズしたスルーホールを形成することにより構成した。小型化のため、フリップチップ(FC)実装技術を用いて、DRと発振器MMICとを3次元的に配置する構造とした。DRには、温度による共振周波数変化の小さい誘電体基板を使用した。試作したDROにおいて、出力+10dBm以上@発振周波数31.7GHz、位相雑音-90dBc/Hz以上@1MHz離れを得た。温度範囲-25〜+100℃における周波数変化は、±315ppmに抑えられた。更に、LTCCパッケージ内にFC実装したDROを試作し、実装後においても正常に発振することを確認した。また、DR裏面に形成したサイズの異なる複数の開口により、高精度に周波数調整ができることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-18
著者
-
丸橋 建一
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
伊東 正治
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
丸橋 建一
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
岸本 修也
日本電気株式会社ビジネスイノベーションセンター
-
伊東 正治
日本電気株式会社ビジネスイノベーションセンター
-
大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
丸橋 建一
日本電気株式会社
-
丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 惠一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
橋口 毅哉
日本電気株式会社生産技術研究所
-
伊東 正治
日本電気株式会社
-
岸本 修也
日本電気株式会社
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