ミリ波帯AlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET MMIC発振器
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概要
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ミリ波直接発振MMICとして,V帯発振器およびKa帯発振器の検討を行った.用いた能動素子は0.15μmT形ゲートAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FETである.発振器の構成は,FETのソース側に容量性スタブを設けて負性抵抗を発生させ,ゲート側に共振回路を有する直列帰還形の回路である.試作したMMICは,V帯発振器で出力4.5dBm(f_<osc>=50.5GHz),Ka帯発振器で出力6.7dBm(f_<osc>=30.6GHz)の良好な特性を示した.また位相雑音は,V帯発振器で-97dBc/Hz(1MHz off-carrier)とfree-run発振器として比較的良好であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
丸橋 建一
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
井上 隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
丸橋 建一
日本電気株式会社
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
舟橋 政弘
(株)ミリウェイブ
-
大畑 恵一
(株)ミリウェイブ
-
細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
細谷 健一
日本電気株式会社
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
(株)ミリウェイブ
-
葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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