ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
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概要
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ミリ波直接発振MMICとして、V帯発振器およびKa帯発振器の検討を行った。用いた能動素子は0.15μmT型ゲートAlGaAs, InGaAsヘテロ接合FETであり、ゲートとドレインエッヂ間のリセス幅の最適化を行うことにより、220GHz以上の高いfmaxを有するものである。発振器の構成は、FETのソース側に容量性スタブを設けて負性抵抗を発生させ、ゲート側に共振回路を有する直列帰還型の回路である。試作したMMICは、V帯発振器で出力2.8dBm(fosc=51.2GHz)、Ka帯発振器で出力6.7dBm(fosc=30.6GHz)の良好な特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
舟橋 政弘
ミリウェイブ
-
大畑 恵一
ミリウェイブ
-
恩田 和彦
ミリウェイブ
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