超微細ショットキー・ゲートFETのソース及びドレイン抵抗の簡易測定

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概要

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ショットッキー・ゲートFETのソース及びドレイン抵抗値 (Rs、Rd) を正確に評価するために、簡便なDC測定を用いる方法、"Vf法"を提案する。本方法は、基本的にはゲートをプローブとして用いる手法を精密化したものであるが、理想因子n値が比較的大きい (1.2以上) FETにも有効である。また、本方法ではゲートに順方向バイアスを印加して、実効的な印加電圧が順方向立ち上がり電圧Vf程度になるようにする。その時、ゲートでの位置によらず、n値や見かけの障壁高さΦ_Bが一定という意味で、ゲート電流密度特性はほとんど均一となる。従って本方法は、ゲート長Lgが0.15μm以下の超微細ゲートFETでも、Rs、Rdを簡便かつ正確に評価できる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-09-26

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