ショットキーゲートFETの寄生抵抗値及び容量値評価方法
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概要
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FETを能動素子として用いたマイクロ波・ミリ波回路を設計する場合, FETの等価回路モデル・パラメータの抽出の精度はたいへん重要である。ここではそのうち, 寄生抵抗値と寄生容量値をより正確に評価する方法を検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
釜瀬 文弘
日本電気(株)c&c Lsi開発本部
-
大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
-
井上 隆
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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