8パラメータ真性FET小信号等価回路モデル
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概要
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FET の小信号等価回路モデルは、低雑音増幅器の設計はもとより、高出力増幅器の基本設計や安定性の検討に不可欠である。今回、CaAsヘテロ接合 FET の真性部分の小信号等価回路モデルの高精度化について検討した。従来の7パラメータ・モデルのゲート・ドレイン間に、Cgdに対してシリーズに実抵抗成分 Rgd を考慮して図1に示すように8パラメークとし、シミュレーション特性に与える影響について考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
-
井上 隆
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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