ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC電圧制御発振器
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概要
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0.15μmゲートN-AlGaAs/InGaAs/N-AlGaAsを能動素子およびバラクタ素子として集積し,素子構造およびプロセスが簡単なミリ波MMIC VCOを開発した.バラクタHJFETにはドレインDCバイアスを導入することにより、バラクタ素子の直列抵抗低減と線型な周波数制御特性を実現した.30GHz帯VCOを試作し,フリーランで出力6.5dBm,変調感度20MHz/Vを得た.さらに誘電体共振器装荷VCOにより,位相雑音-94dBc/Hz(100kHzオフキャリア),出力7.5dBm,周波数安定度40ppm以内(15-40℃)と安定化および低位相雑音化を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-25
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
井上 隆
(株)ミリウェイブ
-
舟橋 政弘
(株)ミリウェイブ
-
細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
-
大畑 惠一
(株)ミリウェイブ
-
丸橋 建一
NEC-関西エレクトロニクス研究所
-
細谷 健一
NEC-関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC-関西エレクトロニクス研究所
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