Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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SiC基板上に作製したAlGaN/GaNヘテロ接合FETで、初めて3ワット級の30GHz帯パワー動作を確認したので報告する。出力特性向上に向けて、GaN系における高耐圧および大電流、短チャネルによる高利得といった特長を最大限に活かすべく、FET平面レイアウト構造や最適デバイス断面構造の改良を行った。その結果、ゲート幅0.45mmの単チップでKa帯において出力3Wを超えるパワー性能の最高記録を達成した。試作したゲート幅100μmのFETのMSGは、ゲート長Lg=0.25μmでは30GHzにおいて9.6dB(60GHzにおいて6.6dB)と良好であることから、短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETはKa帯あるいはそれ以上の周波数における様々な高出力応用に有望であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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