薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
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概要
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薄層化サファイア基板上にAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET(HJFET)を作製した。オンウェーハ評価により, SiN保穫膜形成による電力密度向上(1.2→2.1 W/mm)を確認した。50μm厚サファイア基板上のゲート幅8mmのSiN保護膜HJFETは26V動作にてCW出力11.9、線形利得13.3dB、電力付加効率(PAE)49.7%を示した。また、50μm厚サファイア基板上のゲート幅16mmの非保護膜HJFETでは34V動作にてCW出力15.9W、線形利得9.OdB、PAE29.1%が得られた。出力15.9Wはサファイア基板上GaN系FETの最高値であり、薄層化サファイア上GaN技術の有用性を示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-04
著者
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
-
羽山 信幸
Nec
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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