AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性

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概要

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サファイヤ基板にMOCVDで成長したAlGaAs / GaNヘテロエピ結晶を用いてHJFETを作製し、L帯におけるパワー特性を評価した。GaN FETのパワー特性の向上には、素子の放熱と電流ラグの抑制がきわめて重要である。今回、各フィンガー間の熱を均一化する目的で、ソース電極領域をエアーブリッジ配線で接続したFETを試作し、この構造がパワー特性の向上に有効であることを確認した。また、電流ラグとパワー特性の相関についても詳しく調べた。さらに、サファイヤ基板に比べて熱伝導性に優れるSiC基板を採用することによって、更なるパワー特性の向上が可能であり、V_d=22Vにおいて電力密度P_d=2.3W / mmと良好な特性を得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-01-21

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