松永 高治 | NEC 関西エレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 松永 高治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 三浦 郁雄

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 三浦 郁雄

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 岡本 康宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 高橋 裕之

  Nec

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 國弘 和明

  東工大理

• 国弘 和明

  東工大理

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 国弘 和明

  Nec

• 羽山 信幸

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 国弘 和明

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 高橋 裕之

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 中山 達峰

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 大野 泰夫

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 宮本 広信

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 羽山 信幸

  Nec

• 國弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 国弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  日本電気株式会社システムipコア研究所

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• 高橋 裕之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 岩田 直高

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  日本電気

• 国弘 和明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 岡本 康宏

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

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著作論文

• AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
• C-2-51 Ka帯1W高出力MMIC増幅器
• 高出力密度高耐圧ヘテロ接合FET
• 高出力 AlGaAs/InGaAs ヘテロ接合 FET の高耐圧化
• 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
• InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
• AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性

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