高出力 AlGaAs/InGaAs ヘテロ接合 FET の高耐圧化

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概要

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WSi埋込みゲート構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET(HJFET)の高耐圧化を検討した。ゲート埋込み深さを1.5nmとしたHJFETにおいて最大トレイン電流360mA/mm,ゲート耐圧30Vという高い耐圧が実現できた。このHJFETのゲート幅16.8mmの1.2セル素子は周波数12GHz、9V動作において飽和出力37.1dBm(5.1W)、電力付加効率49%、線形利得12.8dBを得た。また13V動作においては飽和出力38.9dBm(7.8W)、電力付加効率46%、線形利得12.6dBを得た。2次元デバイスシミュレーションによると、ゲート耐圧を決めるゲートのトレイン端の電界集中は埋込み深さが浅い方が弱く、高耐圧構造であることがわかった。これは表面電荷による電界緩和効果がはたらくためである。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-11-24

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