1.5V動作1W高出力ヘテロ接合FET
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概要
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最近、電源電圧(Vds)2.0Vにおける1Wクラス素子の特性が報告がされている。低電圧動作小型素子の実現には、高ドレイン電流化及び立ち上がり電圧の低減が必要である。今回、高ドレイン電流(600mA/mm)を有するダブルドープ構造ヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、1.5V動作において良好な出力特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
猪砂 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
猪砂 佳子
NEC関西エレクトロニクス研究所
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