50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET
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概要
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携帯電話の周波数利用効率の向上や高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。CDMA方式ではアメリカや韓国のIS-95規格での実用化が先行している。CDMA方式では送信電力の可変制御範囲が80dBと広く、この全範囲にわたって低歪高効率動作が求められる。今回、狭いリセス構造を有するグブルド-プダブルヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、950MHzにおけるIS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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