Al_<0.5>Ga_<0.5>Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
-
加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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