p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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Bluetooth Class 1向けに1.8Vと低電圧で動作するPAICを開発した.p^+-GaAs再成長ゲート構造のヘテロ接合FETを適用することで低電圧動作を実現している.ゲインコントロール機能とジャットダウン機能を実装し,20dBm出力時に52%の電力付加効率,22dBの付随利得を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
播磨 史生
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
Necエレクトロニクス
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