C-10-9 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高出力モジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC化合物デバイス事業部
-
加藤 輝久
内藤電誠町田製作所
-
岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
関連論文
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- C-10-9 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高出力モジュール
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
- 完全整合MMIC合成による広帯域Ka帯4W電力増幅器
- C-2-51 Ka帯1W高出力MMIC増幅器
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation
- C-10-5 W-CDMA基地局用高効率240Wヘテロ接合FET
- C-10-14 歪補償と利得可変機能を有するW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 1997年度アジアパシフィックマイクロ波会議の報告
- 完全整合MMIC合成による広帯域Ka帯4W電力増幅器
- 完全整合MMIC合成による広帯域Ka帯4W電力増幅器
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- ワイヤレスブロードバンド用GaAsスイッチIC (電子デバイス特集) -- (デジタルコンシューマ分野向け半導体)
- CT-1-7 GaAsヘテロ接合FETのパワーアンプとスイッチへの適用(CT-1.移動体通信を支える化合物半導体デバイス,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ