エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール

概要

論文の詳細を見る
Wide-band CDMA(W-CDMA)端末用0.1cc高出力マルチチップモジュール(MCM)を試作した。搭載した素子は、エンハンスメント型ダブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)であり、ゲート順方向立上り電圧を高めるため、In_<0.2>Ga_<0.8>Asチャネル層の上に5nm厚さのAl_<0.5>Ga_<0.5>Asバリア層を配している。また、上下Al_<0.2>Ga_<0.8>As電子供給層厚さを最適化して、最大ドレイン電流を高めている。2段アンプMCM(ゲート幅:前段3.2mm, 後段12.8mm)の1.9GHz W-CDMA出力特性を3.5V単一正電源にて評価した。その結果、W-CDMA歪規格時に出力電力26.0dBm、電力付加効率(PAE)47.2%及び付随利得22.3dBを得た。得られたPAEは世界最高値である。また、電源電圧2.0Vにおいても、PAE=46%の良好な低電圧出力特性を得た。以上の結果より、試作したMCMはW-CDMA端末用パワーアンプとして有望であると考える。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-01-11