L帯100W高電圧動作FP-HFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
松永 高治
日本電気
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開研
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
竹中 功
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
麻埜 和則
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
関連論文
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- C-10-9 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高出力モジュール
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation
- C-10-5 W-CDMA基地局用高効率240Wヘテロ接合FET
- C-10-14 歪補償と利得可変機能を有するW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60GHz帯MMIC広帯域高出力増幅器
- 60GHz帯MMIC 2段広帯域出力増幅器
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 22 GHz帯5W HJFET増幅器
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- マイクロストリップ線路に結合した60GHz帯誘電体共振器
- 60GHz 帯高出力MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz 帯 MMIC 誘電体装荷電圧制御発振器
- 60GHz帯MMIC3段広帯域高出力増幅器
- 60GHz安定化MMIC信号源
- ミリ波帯MMIC誘電体安定化電圧制御発振器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
- C-2-57 中間周波数での安定性を高めたV帯高出力アンプ
- 高出力30-60GHzMMIC逓倍増幅器
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- ワイヤレスブロードバンド用GaAsスイッチIC (電子デバイス特集) -- (デジタルコンシューマ分野向け半導体)
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- Proposed Double-Doped Power Metamorphic HJFET for Low Voltage Operation
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
- モンテカルロ・シミュレータを用いたAlGaAs/InGaAs HJFETに於けるショックレイモデルの評価
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(I) : プリディストータの設計と評価
- AlGaAs/InGaAs HJFETにおけるキンク発生機構の検討
- 低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- 2V動作1W小型高出力HJFET