モンテカルロ・シミュレータを用いたAlGaAs/InGaAs HJFETに於けるショックレイモデルの評価
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概要
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ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HJFET)にShockleyモデルを適用し、AlGaAs, InGaAs HJFETのモンテカルロ・シミュレーションと比較した。ここで、Shockleyモデルの入力パラメータ(キャリア濃度-電圧特性、速度-電界特性)にはモンテカルロ計算から抽出したものを採用した。その結果、ゲート長0.2、1、3μmの何れの素子に対してもShockleyモデルはドレイン飽和電流I_sat>を過小評価することが分かった。更に、0.2μm素子ではShockleyモデルはゲート下のあわゆる位置で破綻するが、ゲート長1μm以上ではゲートのドレイン端を除いてShockleyモデルが成り立つことが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17
著者
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Contrata Walter
Nec関西エレクトロニクス研究所
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ウォルター コントラッタ
Nec関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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