佐本 典彦 | 日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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牧野 洋一
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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田中 愼一
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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山之口 勝己
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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田中 愼一
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Contrata Walter
Nec関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝巳
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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牧野 洋一
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
NEC関西エレクトロニクス研究所
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牧野 洋一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
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堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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ウォルター コントラッタ
Nec関西エレクトロニクス研究所
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藤田 宣行
日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部
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塩崎 修
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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徳江 達夫
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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水木 恵美子
NEC関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
NEC関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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大石 恵美
NEC関西エレクトロニクス研究所
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徳江 達夫
日本電気
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
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Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
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丸橋 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
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大畑 恵一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
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安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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根岸 均
NEC ULSIデバイス開発研究所
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梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
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伊藤 明弘
日電
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コントラッタ ウォルター
Nec 関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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山口 由紀子
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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宮垣 克則
日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部
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斎藤 昭
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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伊東 朋弘
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
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大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
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根岸 均
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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梨本 泰信
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
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恩田 和彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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富士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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恩田 和彦
化合物デバイス事業所
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コントラッタ ウォルター
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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大石 恵美
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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藤田 宣行
日電
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塩崎 修
日電
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斉藤 昭
日電
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徳江 達夫
日電
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佐本 典彦
日電
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冨士原 明
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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伊東 朋弘
日本電気 マイクロエレクトロニクス研
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Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
著作論文
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- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
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- Proposed Double-Doped Power Metamorphic HJFET for Low Voltage Operation
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- InAlAs層にAlAs層を挿入した金属/InAlAs/AlAs/n-InAlAs構造のダイオード特性
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
- In_Ga_As層の挿入によるIn_Al_As/In_Ga_Asヘテロ界面の平滑化
- InAlAs/InGaAs系FET用高信頼Moゲート電極の検討
- モンテカルロ・シミュレータを用いたAlGaAs/InGaAs HJFETに於けるショックレイモデルの評価
- 2)BS用マイクロ波デバイスとその応用 : HJ-FETとGaAsFETの開発動向とその応用例(無線技術研究会)