根岸 均 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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• 根岸 均

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 及川 洋一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 及川 隆一

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• 上村 和義

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• 安藤 裕二

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• 安藤 裕二

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 西村 善一

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• 根岸 均

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• 梨本 泰信

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• 佐本 典彦

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• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

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著作論文

• C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
• X帯MMIC用単一正電源動作FET
• K帯AlGaAs/INGaAs/GaAs超低雑音HJFET
• C帯超低雑音HJFETの開発
• パッケージHJFETの雑音解析 : ゲート幅依存性
• 衛星放送用超低雑音HJ-FET (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)

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