佐本 典彦 | NEC関西エレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC関西エレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 佐本 典彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 牧野 洋一

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• Contrata Walter

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 山之口 勝己

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 牧野 洋一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 堀 恭子

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• ウォルター コントラッタ

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 大石 恵美

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• Contrata W.

  NEC光・無線デバイス研究所

• 牧野 洋一

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 丸橋 健一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 大畑 恵一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科

• 安藤 裕二

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 大畑 恵一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 根岸 均

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 丸橋 建一

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• コントラッタ ウォルター

  Nec 関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 大畑 恵一

  Nec 光・無線デバイス研

• 根岸 均

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 冨士原 明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• コントラッタ ウォルター

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 大石 恵美

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• Contrata Walter

  Nec光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

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著作論文

• SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
• C-10-1 新規プロセス(EMMIE)を用いて作製した75GHz高利得HJFET MMIC増幅器
• ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
• パッケージHJFETの雑音解析 : ゲート幅依存性
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
• GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
• GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
• Proposed Double-Doped Power Metamorphic HJFET for Low Voltage Operation
• InAlAs層にAlAs層を挿入した金属/InAlAs/AlAs/n-InAlAs構造のダイオード特性
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
• In_Ga_As層の挿入によるIn_Al_As/In_Ga_Asヘテロ界面の平滑化
• モンテカルロ・シミュレータを用いたAlGaAs/InGaAs HJFETに於けるショックレイモデルの評価

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