冨士原 明 | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
田中 愼一
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
-
田中 愼一
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
NEC
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
池永 佳史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
山之口 勝巳
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
川中 雅史
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
分島 影男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
富士原 明
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
富士 原明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
鈴木 康之
NECシステムデバイス研究所
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
-
樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC
-
樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
NEC システムデバイス研究所
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
金森 幹夫
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
堀 恭子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
富士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
丸橋 建一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
細谷 健一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
井上 隆
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec システムデバイス研究所
-
鈴木 康之
NEC システムデバイス研究所
-
佐本 典彦
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
-
富士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
恩田 和彦
化合物デバイス事業所
-
佐本 典彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
堀 恭子
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
樋田 光
Necエレクトロニクス
-
樋田 光
Nec
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
-
鈴木 康之
Nec システムデバイス研
-
鈴木 康之
NEC
著作論文
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
- 高速電子走行コレクタ構造を有するInP/InGaAsダブルヘテロ接合HBT
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
- MoTiPtAu電極を用いた高信頼ミリ波HIFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- InAlAs/InGaAs系FET用高信頼Moゲート電極の検討
- 高速電子走行コレクタ構造を有するInP/InGaAsダブルヘテロ接合HBT
- 高速電子走行コレクタ構造を有するInP/InGaAsダブルヘテロ接合HBT
- 高信頼性高性能InAlAs/InGaAs HJFET
- 高信頼化技術C0METを用いた高利得低雑音InAlAs/InGaAsHJFET