恩田 和彦 | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 恩田 和彦

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 水木 恵美子

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 水木 恵美子

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 分島 影男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 富士原 明

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 丸橋 建一

  日本電気(株)

• 佐本 典彦

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 富士 原明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• マディヒアン モハマド

  日本電気(株)c&c研究所

• 山口 由紀子

  日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部

• 藤田 宣行

  日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部

• 宮垣 克則

  日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部

• 塩崎 修

  日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部

• 斎藤 昭

  日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部

• 徳江 達夫

  日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部

• 伊東 朋弘

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• デクル ロガン

  日本電気(株)C&Cシステム研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 伊東 朋弘

  日本電気 マイクロエレクトロニクス研

• テクル ロガン

  日本電気(株)c&c研究所

• 徳江 達夫

  日本電気

• デクル ロガン

  日本電気(株)c&cシステム研究所

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著作論文

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• 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
• InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
• In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
• BS用マイクロ波デバイスとその応用 : HJ-FETとGaAs FETの開発動向とその応用例 : 無線技術
• バッファアンプ付K帯CPWモノリシック発振器
• 高信頼化技術C0METを用いた高利得低雑音InAlAs/InGaAsHJFET

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