葛原 正明 | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

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概要

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• 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 葛原 正明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 分島 影男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 恩田 和彦

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部

• 水木 恵美子

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 田中 愼一

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 富士 原明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 富士原 明

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 舟橋 政弘

  Nec システムulsi開発本部

• 葛原 正明

  日本電気

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 宮本 広信

  NEC

• 安藤 裕二

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 松永 高治

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 松永 高治

  日本電気

• 笠原 健資

  日本電気(株)マイクロエレ研

• 大野 泰夫

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 水谷 浩

  日本電気(株),化合物デバイス事業部

• 岡本 康宏

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 水谷 浩

  日本電気(株)c&c Lsi開発本部

• 水谷 浩

  Nec

• 舟橋 政弘

  日本電気(株)

• 葛原 正明

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 舟橋 政弘

  Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部

• 水谷 浩

  日本電気(株) 化合物デバイス事業部

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著作論文

• InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
• In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
• 高度情報通信社会とGaN系高周波デバイス
• Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• フィールドプレートFET技術
• GaAs系高速電子デバイス
• ミリ波超小型SPSTスイッチMMIC

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