宮本 広信 | NEC
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概要
関連著者
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宮本 広信
NEC
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
-
岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
-
岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
Nec
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
井上 隆
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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嶋脇 秀徳
Nec
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岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
井上 隆
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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笠原 健資
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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宮本 広信
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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遠藤 一臣
NECナノエレクトロニクス研究所
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中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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遠藤 一臣
NEC
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幡谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
NECナノエレクトロニクス研究所
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井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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黒田 尚孝
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
財団法人新機能素子研究開発協会
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山之口 勝己
財団法人新機能素子研究開発協会
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田能村 昌宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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大田 一樹
財団法人新機能素子研究開発協会
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会
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分島 彰男
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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柴田 直樹
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
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田能村 昌宏
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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笠原 健資
日本電気(株)マイクロエレ研
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千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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播谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
NEC光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
(財)新機能素子研究開発協会
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
-
村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 裕之
Nec
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大田 一樹
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
Nec
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國弘 和明
東工大理
-
国弘 和明
東工大理
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大野 泰夫
徳島大学
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国弘 和明
Nec
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笠原 健資
NEC
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中山 達峰
NEC
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松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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羽山 信幸
Nec
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國弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
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中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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国弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-9 230W出力C帯GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-17 C帯高出力GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 4.高出力マイクロ波デバイスとしての窒化ガリウムトランジスタ(ブロードバンド無線通信を支えるマイクロ波ミリ波技術)
- L/S帯低歪GaN増幅器技術,AWAD2006)
- L/S帯低歪GaN増幅器技術
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET