遠藤 一臣 | NECナノエレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 宮本 広信

  NEC

• 大田 一樹

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 遠藤 一臣

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 康宏

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

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• 嶋脇 秀徳

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• 嶋脇 秀徳

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• 大田 一樹

  NEC光・無線デバイス研究所

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著作論文

• 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
• 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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