大田 一樹 | Nec
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
大田 一樹
Nec
-
大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
-
分島 彰男
NEC光・無線デバイス研究所
-
松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
Contrata Walter
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
-
田能村 昌宏
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
遠藤 一臣
NEC
-
嶋脇 秀徳
Nec
-
遠藤 一臣
NECナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
-
村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
黒田 尚孝
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
村瀬 康裕
財団法人新機能素子研究開発協会
-
山之口 勝己
財団法人新機能素子研究開発協会
-
田能村 昌宏
財団法人新機能素子研究開発協会
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
-
岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
-
大田 一樹
財団法人新機能素子研究開発協会
-
安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
-
石倉 幸治
NEC化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
-
Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
-
松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
-
石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
-
分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
NEC 化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
NECナノエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
分島 彰男
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
松永 高治
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
大田 一樹
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
Contrata W
NEC光・無線デバイス研究所
-
分島 彰男
NEC光無線デバイス研究所
-
松永 高治
NEC光無線デバイス研究所
-
Contrata W.
NEC光無線デバイス研究所
-
大田 一樹
NEC光無線デバイス研究所
-
石倉 幸治
化合物デバイス事業部
-
竹中 功
化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC光無線デバイス研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
吉田 周平
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
大田 一樹
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
Contrata Walter
NEC 光・無線デバイス研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-9 230W出力C帯GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET