中山 達峰 | 財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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概要
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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播谷 耕二
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千田 昌伸
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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国弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
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松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大田 一樹
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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分島 影男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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富士原 明
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
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葛原 正明
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笠原 健資
NEC
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中山 達峰
NEC
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羽山 信幸
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
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松永 高治
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NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
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葛原 正明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
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安藤 裕二
関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
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中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
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冨士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
富士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
恩田 和彦
化合物デバイス事業所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-9 230W出力C帯GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-17 C帯高出力GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- 臨界膜厚を越えたInAs層を動作層とするHJFET構造の作製
- 臨界膜厚を越えたInAs層を動作層とするHJFET構造の作製
- 成長及び成長中断時におけるInAs歪層の格子緩和過程の観察