AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
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概要
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InAlAs/InGaAs 系ヘテロ接合 FET (HJFET) はミリ波帯のみならずマイクロ波帯においても優れた雑音性能に対する期待が大きい。我々は、これまでInAlAs/InGaAs系HJFETの熱的安定性向上には、Mo(モリブデン)系電極の採用とAlAs/InAs超格子の導入が効果的であることを示してきた。今回、これらの技術を用い、マイクロ波帯低雑音素子開発に向けて、微細ゲート電極デバイスを作製し、その優れた高利得低雑音特性を確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
金森 幹夫
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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