HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
3.4V動作デジタル携帯電話用1.5GHz帯低歪増幅器として、ダブルドープダブルヘテロ接合FET (HJFET)を採用した2段増幅器モジュールを開発した。周波数1429MHzから1453MHzのπ/4シフトQPSK変調信号出力31.2dBmにおいて、電力付加効率46%、隣接チャネル漏洩電力(離調周波数±50KHz) -53dBcの良好な特性を得た。小型化のために2個のFETを1チップ化し、FETキャリヤを1個とすることにより、パッケージサイズは14.2x11.2x2.4mm(0.4cc)となり、従来のMCICの約1/2の体積となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開研
-
長谷川 安昭
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
長谷川 安昭
NEC 化合物デバイス事業部
-
小形 幸範
NEC 化合物デバイス事業部
-
伊東 朋弘
NEC 化合物デバイス事業部
関連論文
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- 超小型0.2ccディジタル携帯電話用パワ-アンプMCIC (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション関連デバイス)
- C-2-51 Ka帯1W高出力MMIC増幅器
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- C-10-2 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(II) : 1.95GHz W-CDMA端末用高出力モジュール特性
- 22 GHz帯5W HJFET増幅器
- 20GHz帯高出力ヘテロ接合FETの開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- C-10-12 W-CDMA基地局用高効率150W HJFET
- 移動体基地局用200W GaAs HFET
- C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
- EOSによる高出力FETのアンバランス動作解析
- MMICに於けるインダクタ素子の隣接効果
- HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
- スパイラルインダクタ特性の配線膜厚依存性検討
- 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
- 50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET
- 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-4 Correlation between Wide-Band CDMA Distortion Characteristics and Intermodulation Distortions of a Heterojunction FET
- C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- 3.4V動作国内ディジタル携帯電話用パワ-アンプMCIC MC-7620/MC-7621 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション系システム用デバイス)
- 低電圧単一電源動作高出力ヘテロ接合FET
- 1.5V動作1W高出力ヘテロ接合FET
- デジタル対応3V動作1W高出力ヘテロ接合FET