低電圧単一電源動作高出力ヘテロ接合FET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
携帯電話用高出力素子は、1W以上の出力と低電圧高効率動作が要求されている。それと同時に、周辺回路の簡素化と一層の低コスト化に向け、単一電源動作高出力素子の実現が熱望されている。今回我々は、埋め込みゲート構造ダブルドープHJFETの低電圧単一電源動作において、良好な出力特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
猪砂 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
猪砂 佳子
NEC関西エレクトロニクス研究所
関連論文
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- フィールドプレートFET技術
- C-2-51 Ka帯1W高出力MMIC増幅器
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- ミリ波超小型SPSTスイッチMMIC
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- 高出力密度高耐圧ヘテロ接合FET
- 高出力 AlGaAs/InGaAs ヘテロ接合 FET の高耐圧化
- HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- MoTiPtAu電極を用いた高信頼ミリ波HIFET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET
- 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-4 Correlation between Wide-Band CDMA Distortion Characteristics and Intermodulation Distortions of a Heterojunction FET
- C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- リセスゲート構造 GaAsFET を用いた衝突イオン化率の測定
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- 低電圧単一電源動作高出力ヘテロ接合FET
- 1.5V動作1W高出力ヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- 2V動作1W小型高出力HJFET
- デジタル対応3V動作1W高出力ヘテロ接合FET