岩田 直高 | NEC 関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Hau Gary
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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猪砂 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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猪砂 佳子
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宮坂 洋一
NEC基礎研究所
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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尾藤 康則
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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竹村 浩一
NEC 基礎研究所
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宮坂 洋一
NEC 基礎研究所
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宮坂 洋一
Nec 基礎研
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竹村 浩一
NEC基礎研究所
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
日本電気
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開研
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三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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三浦 郁雄
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
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長谷川 安昭
NEC化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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長谷川 安昭
NEC 化合物デバイス事業部
-
小形 幸範
NEC 化合物デバイス事業部
-
伊東 朋弘
NEC 化合物デバイス事業部
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佐倉 直喜
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高冶
NEC 関西エレクトロニクス研究所
著作論文
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- C-2-51 Ka帯1W高出力MMIC増幅器
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
- 50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET
- 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-4 Correlation between Wide-Band CDMA Distortion Characteristics and Intermodulation Distortions of a Heterojunction FET
- C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- 低電圧単一電源動作高出力ヘテロ接合FET
- 1.5V動作1W高出力ヘテロ接合FET
- デジタル対応3V動作1W高出力ヘテロ接合FET