Gary Hau | NEC 関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
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加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
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加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC化合部デバイス事業部
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Hau Gary
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Hau Gary
NEC化合部デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC化合物デバイス事業部
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播磨 史生
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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富田 正俊
NEC化合部デバイス事業部
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田能村 昌宏
NEC化合部デバイス事業部
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三好 陽介
NEC化合部デバイス事業部
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播磨 史生
NEC化合部デバイス事業部
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東 晃司
NEC化合部デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
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富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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高橋 英匡
NEC化合物デバイス事業部
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Gary Hau
NEC化合物デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
著作論文
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation
- C-10-14 歪補償と利得可変機能を有するW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(I) : プリディストータの設計と評価
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-4 Correlation between Wide-Band CDMA Distortion Characteristics and Intermodulation Distortions of a Heterojunction FET
- C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria