西村 武史 | NEC 関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Nec化合物デバイス事業部
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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NEC 関西エレクトロニクス研究所
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NEC 関西エレクトロニクス研究所
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NEC 関西エレクトロニクス研究所
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NEC基礎研究所
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NEC 基礎研究所
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NEC 基礎研究所
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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宮坂 洋一
Nec 基礎研
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竹村 浩一
NEC基礎研究所
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
著作論文
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-4 Correlation between Wide-Band CDMA Distortion Characteristics and Intermodulation Distortions of a Heterojunction FET
- C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria