岩田 直高 | NEC関西エレクトロニクス研究所

スポンサーリンク

概要

• 岩田 直高の詳細を見る
• 同名の論文著者
• NEC関西エレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 西村 武史

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 西村 武史

  Nec化合物デバイス事業部

• 尾藤 康則

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 富田 正俊

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 尾藤 康則

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 山口 佳子

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• Hau Gary

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• Gary HAU

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• Gary Hau

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• Hau Gary

  Nec化合物デバイス事業部

• 加藤 武彦

  Nec化合物デバイス事業部

• 加藤 武彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 竹村 浩一

  NEC基礎研究所

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岩田 直高

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 及川 洋一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 佐倉 直喜

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 猪砂 佳子

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 井上 隆

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 西村 武史

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 大畑 恵一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 竹中 功

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NEC化合物デバイス事業部

• 及川 洋一

  ULSIデバイス開発研究所

• 大畑 恵一

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• コントラッタ ウォルター

  Nec 関西エレクトロニクス研究所

• 石倉 幸冶

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 松永 高冶

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 大畑 恵一

  Nec 光・無線デバイス研

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• コントラッタ ウォルター

  NEC関西エレクトロニクス研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
• 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
• コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価
• コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
• デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET
• デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
• 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
• 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
• 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
• Ptショットキゲート高電流InP MESFET
• リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
• L帯100W高電圧動作FP-HFET
• 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
• C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
• 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
• ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
• SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
• STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
• STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
• STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
• 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
• 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
• C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
• C-2-57 中間周波数での安定性を高めたV帯高出力アンプ
• 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
• 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
• コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
• NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
• NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
• Proposed Double-Doped Power Metamorphic HJFET for Low Voltage Operation
• 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
• W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(I) : プリディストータの設計と評価
• 低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
• 2V動作1W小型高出力HJFET

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク